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研究用ダイヤモンド基板

研究用ダイヤモンド基板

単結晶基板の形態と特性

単結晶基板の形態と特性
⟨基本仕様⟩不純物: 窒素;8ppm以下、B及びSi;SIMSで計測限界以下
結晶方位: (100)面 3°内外のオフ角
研磨: 通常研磨Ra<5nm、精密研磨Ra<2nm
サイズ: 1x1~10x10mm、厚さ:0.03~3mm
⟨特殊方位⟩① (110)や(111)基板:片方の辺が3mm以内(3x3mm、6x3mm等)
② オフ角基板;基本面方位から0~5°の傾角で、方向を指定
⟨高品質基板⟩X線ロッキングカーブ半値幅(FWHM)を一定以下に指定できる。 例えば、50や30arcsec以下に規定。

モザイク結晶基板

モザイク結晶基板
☆10x10mm単結晶を2~9個の単結晶を接続
☆各単結晶は(100)面のみ
☆サイズ:1辺<30mm、厚さ:0.05~2mm

エピ成長基板

  1. Bドープエピ基板: B濃度;2~10x1016/cm3、
    厚さ;0.5~10µm、 移動度;1500cm2/Vs以上
  2. 高純度エピ層付基板: N濃度<1ppm、
    厚さ;10~100µm、モザイク基板も使用可
    30µm以上の厚さなら、表面の研磨も可能
アイテムサイズ(mm)備考
RH333Pf23×3×0.3オフアングル2°付基板
RH555PP5×5×5×0.5両面研磨
RH333KPP6×3×0.8(111)面、両面研磨
RH20205P20×20×0.5モザイク基板、片面研磨

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当社は、優れた物性を兼ね備えるダイヤモンドを広くご利用いただくために、最も理想的な特性が発揮できる単結晶を供給しています。まずはお気軽にご相談ください。

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